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buried channel structure

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  • buried-channel MOS structure — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • buried-channel metal-oxide-semiconductor — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • structure MOS à canal caché — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Channel Tunnel — Map of the Channel Tunnel Overview Location English Channel (Strait of Dover) Coordinates Folkestone …   Wikipedia

  • Channel Islands — a British island group in the English Channel, near the coast of France, consisting of Alderney, Guernsey, Jersey, and smaller islands. 126,156; 75 sq. mi. (194 sq. km). * * * I Island dependencies, United Kingdom. Located in the English Channel… …   Universalium

  • MOP darinys su paslėptuoju kanalu — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit vergrabenem Kanal, f rus. МОП структура… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • MOS-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • МОП-структура со скрытым каналом — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • SIT/SITh (Static Induction Transistor/Thyristor) — The static induction thyristor (SI thyristor, SITh) is a thyristor with a buried gate structure in which the gate electrodes are placed in n base region. Since they are normally on state, gate electrodes must be negatively biased to hold off… …   Wikipedia

  • DCPBH — Dual Channel Planer Buried Hetero structure …   Acronyms

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